Investigation of Dielectric-Semiconductor Interface in MIS Structures Based on p-Hg0.8Cd0.2Te

Објеката

Креатор

Damnjanović Vesna, Elazar Jovan

Шира категорија рада

M30

Ужа категорија рада

M33

Извор

Proceedings of MIEL (27th International Conference on Microelektronics)

Волумен

1

Издавач

Niš, Srbija:IEEE CONFERENCE PUBLICATIONS

Датум издавања

2010

Почетна страна

131

Завршна страна

134

isbn

987-1-4244-7198-0

doi

10.1109/MIEL.2010.5490515

uri

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=5483038

Тип

Рад у зборнику

Права

Отворен приступ

Лиценца

CC

ORCID

https://orcid.org/0000-0002-1474-1809

Скупови објеката

Весна Дамњановић

Damnjanović Vesna, Elazar Jovan. "Investigation of Dielectric-Semiconductor Interface in MIS Structures Based on p-Hg0.8Cd0.2Te" in Proceedings of MIEL (27th International Conference on Microelektronics) 1, Niš, Srbija:IEEE CONFERENCE PUBLICATIONS (2010): 131-134. https://doi.org/10.1109/MIEL.2010.5490515